[工學(공학) ,기술] 반도체工學(공학) 실험 - Annealing(Silcidation)
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작성일 20-06-29 07:13
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Download : [공학,기술] 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation).docx
(증착된 두께는 모두 같아야 한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 온도가…(省略)
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실험결과/기타
다. Ni-Silicide는 annealing time에 따라 결합 형태를 달리해서 저항이 달라지는데, 400~700℃에서는 Ni-Si의 결합을 한다.)
2) Wafer를 급속 열처리 장치(RTP)를 이용하여 600℃ , 700℃, 800℃의 온도에서
40초간 열처리한다. 먼저, 600℃와 700℃에서는 저항 값이 184.73과 195.27로 측정(測定) 되었고, 800℃에서는 573.47로 측정(測定) 되었다. 實驗(실험) 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다.
2. 實驗(실험) 방법
가. 實驗(실험) 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
나. 實驗(실험) 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 change(변화) 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정(測定) 하여 온도에 따라 어떻게 change(변화)하는지
알아본다.
3) 어닐링을 마친 3개의 시편을 Four Point Probe를 이용하여 면저항을 측정(測定) 한다.
2. 實驗(실험) 방법
가. 實驗(실험) 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
나. 實驗(실험) 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다.(증착된...
實驗(실험): Annealing(Silcidation)
1. 實驗(실험) 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 實驗(실험) 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 change(변화) 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정(測定) 하여 온도에 따라 어떻게 change(변화)하는지
알아본다.
3. 결과 및 고찰
표 1 實驗(실험) 결과
1회
2회
3회
平均(평균)
600℃
184.4
186.5
183.3
184.73
700℃
192.1
202.8
190.9
195.27
800℃
460.5
630.3
629.6
573.47
(단위 : Ω/cm2)
實驗(실험) 결과는 예비 보고서를 쓸 때 예상한 결과와 비슷한 경향을 보였다.
순서
[공학,기술] 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) , [공학,기술] 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)기타실험결과 , 공학 기술 반도체공학 실험 Annealing Silcidation
[工學(공학) ,기술] 반도체工學(공학) 실험 - Annealing(Silcidation)
實驗(실험): Annealing(Silcidation)
1. 實驗(실험) 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다.
