재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
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작성일 20-12-01 00:37
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(4)XRD 실험방법
(3) EDS를 이용한 원소의 정량분석
9. AAS (atomic absorption spectroscopy)
(4) FTIR에서의 Sampling 기법
2. Direction of Diffracted Beam
(3) XRF의 종류
7. XRF (X-Ray Flourescence Spectrometry)
1. X-ray란?
1. X-선 회절의 조건은?
(3)XRD 시스템
(3) 감도 및 검출 한계
(3) AES분석의 종류
(6) 시료 준비
(1) 장치 구성
(2) 결과 분석
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(1) ICP-MS란?
(2) XRF의 이용
(5) 분석방법
(3) DTA peak 해석
(1) 기본원리
(5) 주요 적용 범위
4. 전형적인 TG-curve
4. 색인서(Index book)
8. ICP-MS (Inductively Coupled Plasma)
(4) 충전효과(效果)(charging effect)
(1) X-선 형광이란
(5) 정량 분석 (Quantitative analysis)
2). Goniometer
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
1. XRD 구성
2. X-ray의 발생
(1) 장치 구성
(7) advantage(장점) 과 단점
6. EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)
2. 열안정성
3. 분석에 이용하는 X-ray는?
1) X-ray 발생장치(X-ray Generator)
3. 미분곡선을 이용하는 이점
(1) 기본원리
(4) 시차온도곡선의 이해
4)Filter
10. XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
(5) DTA의 특징
1. XRD (X-ray Diffraction)
(2) AES/SAM의 구조
(1) 기본원리
5. AES(Auger Electron Spectroscopy)
(1) EDS 개요
(2) EDS를 이용한 정ingredient석
(2) ESCA 장치의 주요 구조
3) 계수기록장치(Electronic Circuit Panel)
(3) 기존 장비와의 비교
(2)Bragg’s Law
4. 응용예
1. TG 곡선의 의미
Reference
(3) 광전자 스펙트럼 (Photoelectron spectrum)
1. 분말X선회절법에 의한 동정법의 특징
2. TG 미분곡선
3. ICDD card
(1) AAS원리
(2) AAS의 구성
설명
(3) FTIR의 구성
(4) 적용범위
재료의 조성 측정방법
(2) FTIR의 속성
(2) 구성장치
(2) 전자저울 종류
(4) 화학적 이동 (Chemical shift)
3. DTA (Differential Temperature Analyzer)
3. 분해reaction response속도 항수의 계산
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS) 여러가지 측정 방법에 대한 원리, 실험방법, 적용범위 재료의 조성 측정방법
(4) 측정(measurement) 방법
재료의 조성 측정(measurement)방법
1. 조성의 분석
여러가지 측정 방법에 대한 원리, experiment(실험)방법, 적용범위
레포트 > 공학,기술계열
2. X선에 의한 동정법의 한계
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
(4) 분석방법
(1)X-ray 기본원리
2. TGA (ThermoGravimetric Analysis)
(3) TG의 가중기법
4. FTIR (Fourier transform infrared spectroscopy)
다.
