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[신소재Engineering] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해

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작성일 23-02-03 22:19

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8.Cathode Shield: 장착된 타겟에서 원하는 부위만 스퍼터링 되게 하고, 방전의 안정성 유지를 위해 장착-타겟과 전기적 접촉이 일어나선 안된다 (b/c 전기적 접촉이 있으면 방전이 되지 않아 플라즈마가 발생하지 못함)

집단을 다른 구슬로 때린다면 이 구슬들은 위치를 이탈하게
Sputtering은 구슬치기를 연상해서 이해할 수 있다아

1.Pumping: 챔버에서 연결된 배출구로 펌프가 연결되어있는 부분

플라즈마란 초고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체 상태를 말한다. 이때는 전하 분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로 음과 양의 전하수가 같아서 중성을 띠게 된다 [네이버 지식백과] 플라즈마 [Plasma] (시사상식사전, 2013)
2.Power Supply:음극(cathode)에 전원을 공급 DC AC RF(radio frequency):13,56MHZ

Download : [신소재공학] Sputtering을.pptx( 90 )

實驗(실험) 방법
Sputtering:톡톡 치다.[네이버 지식백과] 플라즈마 [Plasma] (시사상식사전, 2013)
결과 및 토의
3.GUN:타겟 장착 부위 (냉각을 시켜줌)

자기 위치를 벗어난다. Sputtering의 원리도 이와 같다.

레포트 > 공학,기술계열
이 세상에 존재하는 모든 물질은 원자와 분자의 결합으로

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5.Substrate(기판): 물질을 가리지 않음 (히터 냉각 회전 가능하게 설계됨)
모든 물질은 구슬의 집단이라고 생각 할 수 있다아 이 구슬의
7.Gas system:챔버 내에 있는Ar가스를 공급하는 장치 MFC(질량유량계)가 있음 –원하는 만큼 정확히 챔버내에 주입. 가스의 양은 SCCM이라는 단위로 들어감 (standard cubic centimeter per minute)

4.Target:’기판에 코팅을 시키고자 하는 물질(타겟물질은 금속 세라믹 고분자를 가리지 않음 (액체 기체는 불가))

설명

이루어져 있다아 이러한 원자와 분자를 구슬로 생각한다면

실험 목적 실험 이론 실험 방법 결과 및 토의

Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
實驗(실험) 理論(이론)

實驗(실험) 목적
된다 이것이 바로 Sputtering이다.
구슬이 모여있는 곳에 구슬을 던지면 구슬들은 원래

순서

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6.Shutter:기판과 타겟 사이를 차단하는 개폐식 문 (원하는 시간만큼 증착을 하기 위함)
다.
플라즈마를 만들려면 흔히 직류, 초고주파, 전자빔 등 전기적 방법을 가해 플라스마를 생성한 다음 자기장 등을 사용해 이런 상태를 유지 하도록 해야한다.

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