[리딩 테크놀로지 2003](18)low-k
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작성일 23-01-31 17:14본문
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[리딩 테크놀로지 2003](18)low-k
[리딩 테크놀로지 2003](18)low-k
반도체 기술은 크기·양·속도와의 전쟁이라 할 수 있다.
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[리딩 테크놀로지 2003](18)low-k
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[리딩 테크놀로지 2003](18)low-k
특히 저유전 절연물질(dielectric), 이른바 ‘low-k’는 구리 배선의 층 사이 물질로 기존 산화규소(SiO
처리속도가 더 빠른 반도체를 만들기 위해 반드시 필요한 것이 배선재료와 절연재료다. 반도체의 면적이 작아짐에 따라 금속 사이를 통과하는 원자도 빨라져야 하며 저항은 그만큼 줄여야 하기 때문일것이다 반도체내 원자의 움직임을 빠르게 하기 위해서 기존 배선 재료인 구리(Cu)가 알루미늄(Al)으로 대체되는 것도 같은 맥락이다. 이처럼 작고 빠른 반도체를 만드는 데 결정적인 역할을 하는 것이 반도체 재료다. 그만큼 가장 작은 크기에 가장 많은 양의 데이터를 가장 빨리 처리할 수 있는 반도체를 만드는 경쟁이 치열하다.
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