experiment(실험)10예비보고서. 소스 공통 증폭기
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작성일 22-10-07 13:09
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게이트와 기판은 SiO2 절연막에 의해 분리된 커패시터의 전극판 역할을 한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
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실험10. 소스 공통 증폭기
실험 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)특성(特性)을 실험적으로 결정한다.
◆ MOSFET의 종류
☞ MOSFET은 제작 방식에 따라 디플리션(depletion-공핍)형 또는 인핸스먼트(enhancement-증가)형으로 구분된다
② Enhancement MOSFET
인핸스먼트형에서는 드레인과 소스 사이에 채널이 형성되어 있지 않고, N형 드레인과 소스는 P형 기판에 의해 분리되어 있따 기판 위에 매우 얇은 SiO2막(절연막)이 형성되며, 그 위에 게이트로 작용하는 금속이 증착된다 게이트, 드레인, 소스 및 기판에는 전극용으로 오믹 접촉이 형성된다
게이트가 FET의 기판으로부터 절연되어 있기 때문에, 절연 게이트 FET(IGFET - Insulated Gate FET)라고도 한다. (전원의 추가 인가 등)
MOSFET의 바이어스는, 항상 역방향 바이어스여야하는 JFET과 차이가 있따 즉, 조건에 따라 역방향 바이어스가 아니더라도 동작한다.
또한, MOSFET은 JFET보다 훨씬 더 ...
실험10. 소스 공통 증폭기
실험 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)특성(特性)을 실험적으로 결정한다. 즉, gate 전압이 음전압이므로 회로의 응용 및 설계에 불편을 가져다주는 경우가 많다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(測定) 한다. 게이트가 기판에 접속된 소스에 대해 (+)이면 커패시터는 충전된다 게이트가 (+)이므로 드레인과 소스 사이의 반도체 표면에 음전하(전자)가 유도되어 채널…(drop)
실험과제/기타
다.
기초 이론(理論)
① JFET / MOSFET
◆ JFET(Junction FET)
☞ 역방향 바이어스 pn 접합으로 채널 전류를 제어하는 FET
◆ JFET와 MOSFET의 차이는
☞ JFET은 동작에 있어 항상 역방향 바이어스가 되어야 한다.
기초 이론(理論)
① JFET / MOSFET
◆ JFET(Junction FET)
☞ 역방향 바이어스 pn 접합으로 채널 전류를 제어하는 FET
◆ JFET와 MOSFET의 차이는
☞ JFET은 동작에 있어 항상 역방향 바이어스가 되어야 한다.
또한, MOSFET은 JFET보다 훨씬 더 큰 입력 임피던스를 갖는다. (전원의 추가 인가 등)
MOSFET의 바이어스는, 항상 역방향 바이어스여야하는 JFET과 차이가 있따 즉, 조건에 따라 역방향 바이어스가 아니더라도 동작한다. 즉, gate 전압이 음전압이므로 회로의 응용 및 설계에 불편을 가져다주는 경우가 많다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(測定) 한다.
